CSD23202W10T

功能描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

制造商:texas instruments

系列:NexFET??

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.2A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):53 毫欧 @ 500mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):512pF @ 6V

功率 - 最大值:1W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:4-UFBGA,DSBGA

供应商器件封装:4-DSBGA(1x1)

标准包装:1

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